Micro-LED自發(fā)光顯示是實(shí)現(xiàn)全彩LED超清顯示的核心技術(shù)路線之一，具有低能耗、壽命長(zhǎng)、色彩飽和度高等優(yōu)點(diǎn)。目前，各國(guó)均大力攻關(guān)RGB全彩Micro-LED在芯片制作、規(guī)?；D(zhuǎn)移等領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸，以滿足先進(jìn)顯示產(chǎn)業(yè)的迫切需求。

本項(xiàng)目立足于半導(dǎo)體照明顯示產(chǎn)業(yè)需求，瞄準(zhǔn)Micro-LED新型顯示技術(shù)，致力于解決氮化物Micro-LED顯示技術(shù)在材料質(zhì)量、器件工藝等方面存在的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題。提出InGaN紅光材料的新型MOCVD技術(shù)，開(kāi)展InGaN藍(lán)光LED結(jié)合紅光量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)的研究，兩條技術(shù)路線并重共同促進(jìn)氮化物全彩顯示技術(shù)的突破與發(fā)展，解決氮化物紅光LED制備難題，優(yōu)化Micro-LED元器件制備工藝，研發(fā)出低功耗、高性能的氮化物紅光Micro-LED元器件，并培養(yǎng)一支具備“設(shè)備-材料-元器件”全鏈條研究能力的人才團(tuán)隊(duì)。

隨著國(guó)內(nèi)外集成電路的制程變化，石英及硅部件逐漸無(wú)法滿足需求，碳化硅部件作為新一代半導(dǎo)體材料閃亮登場(chǎng)，在高制程蝕刻、RTP及CVD工藝領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景，有望成為前沿下一代集成電路芯片成功量產(chǎn)和良率保證的重要利器之一。

本項(xiàng)目旨在突破300mm集成電路前沿下一代超大尺寸碳化硅核心部件材料國(guó)產(chǎn)化“卡脖子”問(wèn)題，目標(biāo)是完成先進(jìn)的超大尺寸碳化硅部件材料的全套技術(shù)研發(fā)工作和用于碳化硅部件生長(zhǎng)的核心裝備研制，實(shí)現(xiàn)蘇州、江蘇乃至全國(guó)零的突破。碳化硅部件質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，加速我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起進(jìn)程。