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氮化物新型半導(dǎo)體器件

編號： A021507

名稱： 氮化物新型半導(dǎo)體器件

領(lǐng)域： 材料科學

成果形式：

投資額： 面議萬

案例數(shù)：

技術(shù)階段： 小批量階段

合作方式： 技術(shù)轉(zhuǎn)讓,技術(shù)入股,技術(shù)許可,其他

方案詳述

本項目的目標產(chǎn)品為600V—900V GaN功率器件。這是一種新型的半導(dǎo)體開關(guān)器件，其特點是體積小、效率高、性能穩(wěn)定、壽命長。同時，其擊穿電壓、導(dǎo)通電阻、工作溫度和開關(guān)速度等主要參數(shù)指標比目前市場上常見的硅基器件有明顯的提高，電力轉(zhuǎn)換效率普遍提升2～7%，使電力系統(tǒng)體積減少1/3以上，可以廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)控制和太陽能光伏等應(yīng)用領(lǐng)域，以更高的電能轉(zhuǎn)化效率、更少的設(shè)備耗材為客戶創(chuàng)造價值。

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